ویژگیهای محصول
ابعاد2.38*22.15*80.15 میلی متر
وزن8 گرم
فرم فاکتورM.2 (2280)
رابطNVMe 1.3PCIe Gen 3.0 x4
ظرفیت250 گیگابایت
کنترلرSamsung Phoenix Controller
حافظه کشSamsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
سرعت خواندن اطلاعات به صورت متوالی3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت متوالی2300 مگابایت بر ثانیه
مقاومت در برابر شوکبلهحداکثر 1500G
مقاومت در برابر لرزشبله
ویژگی های امنیتیAES 256-bit Full DiskEncrypted Drive (IEEE1667)TCG/Opal v2.0
دامنه دمای کار0 تا 70 درجه سلسیوس
میانگین زمان بین خرابی ها (MTBF)1.5 میلیون ساعت
حد مجاز ولتاژ3.3V± 5%
پشتیبانی از TRIMبله
پشتیبانی از WWNخیر
عملکرد خواندن تصادفی (4KB)QD1: 17,000 IOPSQD32: 250,000 IOPS
عملکرد نوشتن تصادفی (4KB)QD1: 60,000 IOPSQD32: 550,000 IOPS
نوع حافظه ی ذخیره سازیSamsung V-NAND 3-bit MLC
میزان مصرف نیرو در زمان کارحداکثر 8 واتمیانگین 5 وات
میزان مصرف نیرو در زمان عدم استفاده30 میلی وات
پارت نامبرMZ-V7S250B/AM
توضیحات
توضیحاتی ثبت نشده است.
نظرات
هنوز نظری ثبت نشده است.
