ویژگیهای محصول
ابعاد2.38*22.15*80.15 میلی متر
وزن9 گرم
فرم فاکتورM.2 (2280)
رابطNVMe 1.3cPCIe Gen 4.0 x4
ظرفیت1 ترابایت
کنترلرSamsung Elpis Controller
حافظه کشSamsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
نوع حافظه ی ذخیره سازیSamsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات به صورت متوالیتا 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت متوالیتا 5000 مگابایت بر ثانیه
مقاومت در برابر شوکبله
مقاومت در برابر لرزشبله
ویژگی های امنیتیAES 256-bitTCG/Opal IEEE1667
دامنه دمای کار0 تا 70 درجه سلسیوس
میانگین زمان بین خرابی ها (MTBF)1.5 میلیون ساعت
حد مجاز ولتاژ3.3V± 5%
پشتیبانی از TRIMبله
پشتیبانی از WWNخیر
عملکرد خواندن تصادفی (4KB)(4KB, QD1)22,000 IOPS(4KB, QD32)1,000,000 IOPS
عملکرد نوشتن تصادفی (4KB)(4KB, QD1) 60,000 IOPS(4KB, QD32) 1,000,000 IOPS
توضیحات
توضیحاتی ثبت نشده است.
نظرات
هنوز نظری ثبت نشده است.
