ویژگیهای محصول
ابعاد2.38*22.15*80.15 میلی متر
وزن9 گرم
فرم فاکتورM.2 (2280)
رابطNVMe 1.3cPCIe Gen 4.0 x4
ظرفیت500 گیگابایت
کنترلرSamsung Elpis Controller
حافظه کشSamsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
سرعت خواندن اطلاعات به صورت متوالی6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت متوالیتا 5000 مگابایت بر ثانیه
مقاومت در برابر شوکبلهحداکثر 1500G
مقاومت در برابر لرزشبله
ویژگی های امنیتیAES 256-bitEncrypted Drive (IEEE1667)TCG/Opal IEEE1667
دامنه دمای کار0 تا 70 درجه سلسیوس
میانگین زمان بین خرابی ها (MTBF)1.5 میلیون ساعت
حد مجاز ولتاژ3.3V± 5%
پشتیبانی از TRIMبله
پشتیبانی از WWNخیر
عملکرد خواندن تصادفی (4KB)(IOPS) 22000(IOPS) 800000
عملکرد نوشتن تصادفی (4KB)(IOPS) 1000000(IOPS) 60000
نوع حافظه ی ذخیره سازیSamsung V-NAND 3-bit MLC
میزان مصرف نیرو در زمان کار7.4 وات
میزان مصرف نیرو در زمان عدم استفاده35 میلی وات
پارت نامبرMZ-V8P500B/AM
توضیحات
توضیحاتی ثبت نشده است.
نظرات
هنوز نظری ثبت نشده است.
