ویژگیهای محصول
ابعاد2.38*22.15*80.15 میلی متر
وزن8 گرم
فرم فاکتورM.2 (2280)
رابطNVMe 1.3PCIe Gen 3.0 x4
ظرفیت2 ترابایت
کنترلرSamsung Phoenix Controller
حافظه کشSamsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
سرعت خواندن اطلاعات به صورت متوالی3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت متوالی3300 مگابایت بر ثانیه
مقاومت در برابر شوکبلهحداکثر 1500G
مقاومت در برابر لرزشبله
ویژگی های امنیتیAES 256-bit Encryption (Class 0)Encrypted Drive (IEEE1667)TCG/Opal
دامنه دمای کار0 تا 70 درجه سلسیوس
میانگین زمان بین خرابی ها (MTBF)1.5 میلیون ساعت
حد مجاز ولتاژ3.3V± 5%
پشتیبانی از TRIMبله
پشتیبانی از WWNخیر
عملکرد خواندن تصادفی (4KB)QD1: 19,000 IOPSQD32: 620,000 IOPS
عملکرد نوشتن تصادفی (4KB)QD1: 62,000 IOPSQD32: 560,000 IOPS
نوع حافظه ی ذخیره سازیSamsung V-NAND 3-bit MLC
میزان مصرف نیرو در زمان کارحداکثر 9 واتمیانگین 6 وات
میزان مصرف نیرو در زمان عدم استفاده30 میلی وات
پارت نامبرMZ-V7S2T0B/AM
توضیحات
توضیحاتی ثبت نشده است.
نظرات
هنوز نظری ثبت نشده است.
ثبت دیدگاه
محصولات مرتبط
