ویژگیهای محصول
ابعاد2.38*22.15*80.15 میلی متر
وزن9 گرم
فرم فاکتورM.2 (2280)
رابطNVMe 1.3cPCIe Gen 4.0 x4
ظرفیت2 ترابایت
کنترلرSamsung Elpis Controller
حافظه کشSamsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
سرعت خواندن اطلاعات به صورت متوالیتا 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت متوالی5100 مگابایت بر ثانیه
مقاومت در برابر شوکبله
مقاومت در برابر لرزشبله
ویژگی های امنیتیAES 256-bit Full Disk EncryptionEncrypted Drive (IEEE1667)TCG/Opal v2.0
دامنه دمای کار0 تا 70 درجه سلسیوس
میانگین زمان بین خرابی ها (MTBF)1.5 میلیون ساعت
حد مجاز ولتاژ3.3V± 5%
پشتیبانی از TRIMبله
پشتیبانی از WWNخیر
عملکرد خواندن تصادفی (4KB)(IOPS) 680000
عملکرد نوشتن تصادفی (4KB)(IOPS) 630000
نوع حافظه ی ذخیره سازیSamsung V-NAND 3-bit MLC
میزان مصرف نیرو در زمان کارحداکثر 7.2 واتمیانگین 6.1 وات
میزان مصرف نیرو در زمان عدم استفاده35 میلی وات
پارت نامبرMZ-V8P2T0B/AM
توضیحات
توضیحاتی ثبت نشده است.
نظرات
هنوز نظری ثبت نشده است.
